IXTU01N100D

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTU01N100D

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTU01N100D-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

Inventario:

RFQ Online

12818963

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IXTU01N100D Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

-

Serie

Depletion

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1000 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

400mA (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80Ohm @ 50mA, 0V

vgs(th) (massimo) @ id

4.5V @ 25µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

5.8 nC @ 5 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

100 pF @ 25 V

Funzione FET

Depletion Mode

Dissipazione di potenza (max)

1.1W (Ta), 25W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251AA

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Numero di prodotto di base

IXTU01

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IXT(P,U,Y)01N100D

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

70

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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