Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTT2N170D2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTT2N170D2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1700 V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventario:
12819302
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IXTT2N170D2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Depletion
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5Ohm @ 1A, 0V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3650 pF @ 25 V
Funzione FET
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)
568W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-268AA
Pacchetto / Custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numero di prodotto di base
IXTT2
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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