Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTQ69N30P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTQ69N30P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 300 V 69A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12820257
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IXTQ69N30P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
300 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4960 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
IXTQ69
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDA59N30
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
447
NUMERO DI PEZZO
FDA59N30-DG
PREZZO UNITARIO
1.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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