Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTQ34N65X2M

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTQ34N65X2M-DG

Descrizione:

DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 650 V 34A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

RFQ Online

12968678

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IXTQ34N65X2M Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

650 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

34A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

96mOhm @ 17A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

54 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

3000 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

43W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

30

Altri nomi

238-IXTQ34N65X2M

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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