IXTQ200N06P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTQ200N06P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTQ200N06P-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 200A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventario:

RFQ Online
12821801
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IXTQ200N06P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
Polar
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 400A, 15V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
714W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
IXTQ200

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXTQ200N06P
Scheda Dati HTML
IXTQ200N06P-DG
Schede dati
IXTQ200N06P

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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