Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTQ18N60P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTQ18N60P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12821417
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IXTQ18N60P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
IXTQ18
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCH041N60F
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
365
NUMERO DI PEZZO
FCH041N60F-DG
PREZZO UNITARIO
7.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
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