Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTQ182N055T
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTQ182N055T-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 182A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12821951
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IXTQ182N055T Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
TrenchMV™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
182A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4850 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
IXTQ182
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTH260N055T2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
3
NUMERO DI PEZZO
IXTH260N055T2-DG
PREZZO UNITARIO
3.89
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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