Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTQ120N15P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTQ120N15P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
12820185
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IXTQ120N15P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
IXTQ120
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFP4568PBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
295
NUMERO DI PEZZO
IRFP4568PBF-DG
PREZZO UNITARIO
4.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
FQA90N15
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
91
NUMERO DI PEZZO
FQA90N15-DG
PREZZO UNITARIO
4.82
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
HUF75852G3
FABBRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
292
NUMERO DI PEZZO
HUF75852G3-DG
PREZZO UNITARIO
8.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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