IXTP24N65X2M
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTP24N65X2M

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTP24N65X2M-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventario:

295 Pz Nuovo Originale Disponibile
12909962
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

IXTP24N65X2M Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2060 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220 Isolated Tab
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
IXTP24

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
-IXTP24N65X2M

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

2N7002LT3

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

vishay-siliconix

2N7002K-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236

vishay-siliconix

IRFIB6N60APBF

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3

vishay-siliconix

IRLZ44STRR

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK