IXTP120P065T
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTP120P065T

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTP120P065T-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 65 V 120A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

12820814
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IXTP120P065T Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
TrenchP™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
65 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
13200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
298W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IXTP120

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IXTH120P065T
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
5
NUMERO DI PEZZO
IXTH120P065T-DG
PREZZO UNITARIO
3.94
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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