IXTP05N100M

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTP05N100M

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTP05N100M-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1000 V 700mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

500 Pz Nuovo Originale Disponibile

12821151

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IXTP05N100M Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1000 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

700mA (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17Ohm @ 375mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4.5V @ 25µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

7.8 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

260 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

25W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Numero di prodotto di base

IXTP05

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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