IXTP02N50D
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTP02N50D

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTP02N50D-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

32 Pz Nuovo Originale Disponibile
12818881
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IXTP02N50D Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Depletion
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30Ohm @ 50mA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 25µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
120 pF @ 25 V
Funzione FET
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IXTP02

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXT(P,U,Y)02N50D
Scheda Dati HTML
IXTP02N50D-DG
Schede dati
IXTP02N50D

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
-IXTP02N50D

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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