IXTN32P60P

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTN32P60P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTN32P60P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

226 Pz Nuovo Originale Disponibile

12820869

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IXTN32P60P Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

PolarP™

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

600 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 1mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

196 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

11100 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

890W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Numero di prodotto di base

IXTN32

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

10

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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