Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTN200N10T
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTN200N10T-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12820910
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IXTN200N10T Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Trench
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
550W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXTN200
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFN200N10P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
37
NUMERO DI PEZZO
IXFN200N10P-DG
PREZZO UNITARIO
17.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
IXTK210P10T
MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
