IXTN170P10P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTN170P10P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTN170P10P-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 170A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

70 Pz Nuovo Originale Disponibile
12821710
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IXTN170P10P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12600 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXTN170

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10
Altri nomi
Q7850284

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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