IXTK17N120L

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTK17N120L

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTK17N120L-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1200V 17A TO264

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1200 V 17A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)

Inventario:

296 Pz Nuovo Originale Disponibile

12820503

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IXTK17N120L Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

Linear

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

17A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 8.5A, 20V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

155 nC @ 15 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

8300 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

700W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXTK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Numero di prodotto di base

IXTK17

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IXT(K,X)17N120L

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

25

Altri nomi

-IXTK17N120L

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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