Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTH1N200P3
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTH1N200P3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventario:
12914206
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IXTH1N200P3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
Polar P3™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
2000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
646 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247 (IXTH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXTH1
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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