IXTH12N65X2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTH12N65X2

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTH12N65X2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventario:

3 Pz Nuovo Originale Disponibile
12821214
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IXTH12N65X2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247 (IXTH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXTH12

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
IXTH12N65X2-DG
Schede dati
IXTH12N65X2
Schede tecniche
IXTx12N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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