Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTA1N200P3HV-TRL
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTA1N200P3HV-TRL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventario:
13140410
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IXTA1N200P3HV-TRL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
2000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
646 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263HV
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXTA1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR
IXTA1N200P3HVTRL
238-IXTA1N200P3HV-TRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR-ND
238-IXTA1N200P3HVTRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLCT-ND
238-IXTA1N200P3HV-TRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR-ND
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTT1N250HV-TRL
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTT1N250HV-TRL-DG
PREZZO UNITARIO
31.96
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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