Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXTA110N12T2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXTA110N12T2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventario:
12820924
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IXTA110N12T2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
TrenchT2™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
120 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6570 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
517W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AA
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXTA110
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB144N12N3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2576
NUMERO DI PEZZO
IPB144N12N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.79
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXTA80N12T2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA80N12T2-DG
PREZZO UNITARIO
2.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IPB038N12N3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1575
NUMERO DI PEZZO
IPB038N12N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
3.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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