Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFX52N100X
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFX52N100X-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 52A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12819604
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IXFX52N100X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
6V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6725 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXFX52
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SCT3080KLGC11
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
325
NUMERO DI PEZZO
SCT3080KLGC11-DG
PREZZO UNITARIO
12.39
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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