IXFX32N100Q3

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFX32N100Q3

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFX32N100Q3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventario:

256 Pz Nuovo Originale Disponibile

12819012

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IXFX32N100Q3 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

HiPerFET™, Q3 Class

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1000 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

32A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 16A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

6.5V @ 8mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

195 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

9940 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1250W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS247™-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Numero di prodotto di base

IXFX32

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

IXFX32N100Q3-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

30

Altri nomi

-IXFX32N100Q3

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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