IXFX27N80Q
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFX27N80Q

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFX27N80Q-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventario:

63 Pz Nuovo Originale Disponibile
12913225
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IXFX27N80Q Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Q Class
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
320mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXFX27

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXF(K,X)27N80Q
Scheda Dati HTML
IXFX27N80Q-DG
Schede dati
IXFX27N80Q

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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