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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFX220N17T2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFX220N17T2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 170 V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
RFQ Online
12820050
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IXFX220N17T2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
170 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
220A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
500 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
31000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXFX220
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IXFx220N17T2
Scheda Dati HTML
IXFX220N17T2-DG
Schede dati
IXFX220N17T2
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF200P222
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
971
NUMERO DI PEZZO
IRF200P222-DG
PREZZO UNITARIO
4.96
TIPO DI SOSTITUZIONE
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