Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFT80N65X2HV
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFT80N65X2HV-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventario:
12821035
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IXFT80N65X2HV Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-268HV (IXFT)
Pacchetto / Custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numero di prodotto di base
IXFT80
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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