Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFT6N100Q
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFT6N100Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventario:
12915392
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IXFT6N100Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-268AA
Pacchetto / Custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numero di prodotto di base
IXFT6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFT15N100Q3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFT15N100Q3-DG
PREZZO UNITARIO
12.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STH6N95K5-2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
697
NUMERO DI PEZZO
STH6N95K5-2-DG
PREZZO UNITARIO
1.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
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