IXFT60N25Q
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFT60N25Q

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFT60N25Q-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 60A TO268
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventario:

12821559
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IXFT60N25Q Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-268AA
Pacchetto / Custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numero di prodotto di base
IXFT60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IXTT82N25P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTT82N25P-DG
PREZZO UNITARIO
5.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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