IXFT20N80Q

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFT20N80Q

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFT20N80Q-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 20A TO268

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 800 V 20A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventario:

RFQ Online

12819506

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IXFT20N80Q Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

-

Serie

HiPerFET™

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

800 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4.5V @ 4mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

200 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

5100 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268AA

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Numero di prodotto di base

IXFT20

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IXF(H,K,T)20N80Q

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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