Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFT10N100
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFT10N100-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventario:
12823281
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IXFT10N100 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-268AA
Pacchetto / Custodia
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numero di prodotto di base
IXFT10
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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