IXFR58N20

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFR58N20

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFR58N20-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventario:

RFQ Online

12819132

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IXFR58N20 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

-

Serie

HiPerFET™

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 29A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 4mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

140 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

3600 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Numero di prodotto di base

IXFR58

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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