Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFR20N80P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFR20N80P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 166W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventario:
12914976
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IXFR20N80P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4680 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
166W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
ISOPLUS247™
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFR20
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SPW11N80C3FKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
2520
NUMERO DI PEZZO
SPW11N80C3FKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.49
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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