Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFP4N85XM
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFP4N85XM-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12819540
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IXFP4N85XM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
850 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
247 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
IXFP4N85
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK7A90E,S4X
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
95
NUMERO DI PEZZO
TK7A90E,S4X-DG
PREZZO UNITARIO
0.63
TIPO DI SOSTITUZIONE
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