IXFP36N20X3M
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFP36N20X3M

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFP36N20X3M-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 36A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 36A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Inventario:

201 Pz Nuovo Originale Disponibile
12820542
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IXFP36N20X3M Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1425 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220 Isolated Tab
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numero di prodotto di base
IXFP36

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXFP36N20X3M
Scheda Dati HTML
IXFP36N20X3M-DG
Schede dati
IXFP36N20X3M

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
-IXFP36N20X3M

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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