IXFP10N80P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFP10N80P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFP10N80P-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

242 Pz Nuovo Originale Disponibile
12819454
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IXFP10N80P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IXFP10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXF(A,P,Q,H)10N80P
Scheda Dati HTML
IXFP10N80P-DG
Schede dati
IXFP10N80P

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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