IXFN80N50
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFN80N50

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFN80N50-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 66A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

12912106
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

IXFN80N50 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9890 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFN80

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10
Altri nomi
IXFN80N50-NDR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
STE53NC50
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STE53NC50-DG
PREZZO UNITARIO
30.09
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
vishay-siliconix

IRFPC50

MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

vishay-siliconix

IRFZ46L

MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR9120TR

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

IRL540

MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB