Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFN50N80Q2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFN50N80Q2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 50A (Tc) 1135W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12821854
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IXFN50N80Q2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Q2 Class
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFN50
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFN60N80P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFN60N80P-DG
PREZZO UNITARIO
32.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFN66N85X
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
710
NUMERO DI PEZZO
IXFN66N85X-DG
PREZZO UNITARIO
32.46
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
APT53F80J
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
89
NUMERO DI PEZZO
APT53F80J-DG
PREZZO UNITARIO
52.75
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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