IXFN180N25T
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFN180N25T

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFN180N25T-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 168A (Tc) 900W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

85 Pz Nuovo Originale Disponibile
12819816
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IXFN180N25T Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
168A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
345 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
28000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
900W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFN180

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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