Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFN120N65X2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFN120N65X2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 108A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
93 Pz Nuovo Originale Disponibile
12820518
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IXFN120N65X2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
108A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 54A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
15500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFN120
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10
Altri nomi
632519
IXFN120N65X2X-DG
IXFN120N65X2X
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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