Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFN120N20
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFN120N20-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12819616
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IXFN120N20 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFN120
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10
Altri nomi
IXFN120N20-NDR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFN210N20P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFN210N20P-DG
PREZZO UNITARIO
33.70
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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