IXFN100N10S1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFN100N10S1

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFN100N10S1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

12821587
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IXFN100N10S1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFN100

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
10

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
APT10M11JVRU2
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
APT10M11JVRU2-DG
PREZZO UNITARIO
30.73
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IXFN360N10T
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFN360N10T-DG
PREZZO UNITARIO
16.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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