IXFM67N10
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFM67N10

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFM67N10-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE

Inventario:

12820901
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IXFM67N10 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-204AE
Pacchetto / Custodia
TO-204AE
Numero di prodotto di base
IXFM67

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
20

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
PSMN013-100PS,127
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
3262
NUMERO DI PEZZO
PSMN013-100PS,127-DG
PREZZO UNITARIO
0.99
TIPO DI SOSTITUZIONE
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