IXFK20N120P

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFK20N120P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFK20N120P-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventario:

3 Pz Nuovo Originale Disponibile

12910081

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IXFK20N120P Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

HiPerFET™, Polar

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

20A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

570mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

6.5V @ 1mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

193 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

11100 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

780W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264AA (IXFK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Numero di prodotto di base

IXFK20

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IXF(K,X)20N120P

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

25

Altri nomi

-IXFK20N120P

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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