IXFK180N25T

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFK180N25T

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFK180N25T-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 250 V 180A (Tc) 1390W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventario:

576 Pz Nuovo Originale Disponibile

12821340

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IXFK180N25T Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

HiPerFET™, Trench

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

250 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

180A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 60A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

5V @ 8mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

345 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

28000 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1390W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264AA (IXFK)

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Numero di prodotto di base

IXFK180

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IXF(K,X)180N25T

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

25

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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