Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFK120N20
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFK120N20-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventario:
12820953
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IXFK120N20 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-264AA (IXFK)
Pacchetto / Custodia
TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base
IXFK120
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
25
Altri nomi
IXFK120N20-NDR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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