Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH80N65X2-4
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH80N65X2-4-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
12821873
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IXFH80N65X2-4 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4L
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
IXFH80
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
-IXFH80N65X2-4
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPZA60R037P7XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
240
NUMERO DI PEZZO
IPZA60R037P7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
6.39
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STW69N65M5-4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
395
NUMERO DI PEZZO
STW69N65M5-4-DG
PREZZO UNITARIO
7.47
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IXFN27N80
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
IXTH7P50
MOSFET P-CH 500V 7A TO247
IXFP76N15T2
MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
