IXFH6N100Q
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFH6N100Q

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFH6N100Q-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventario:

12821268
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IXFH6N100Q Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH6

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30
Altri nomi
478547

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IXFH7N100P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFH7N100P-DG
PREZZO UNITARIO
7.00
TIPO DI SOSTITUZIONE
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