Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH6N100Q
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH6N100Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12821268
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IXFH6N100Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
478547
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFH7N100P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFH7N100P-DG
PREZZO UNITARIO
7.00
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IXFN80N50Q2
MOSFET N-CH 500V 72A SOT227B
IXTP2R4N50P
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO220AB
IXFK60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
