Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH6N100F
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH6N100F-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Inventario:
12808977
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IXFH6N100F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, F Class
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 2.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247 (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH6
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STW7N105K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
554
NUMERO DI PEZZO
STW7N105K5-DG
PREZZO UNITARIO
1.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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