Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH67N10Q
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH67N10Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12819869
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IXFH67N10Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH67
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
HUF75639G3
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
415
NUMERO DI PEZZO
HUF75639G3-DG
PREZZO UNITARIO
1.49
TIPO DI SOSTITUZIONE
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