Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH60N65X2-4
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH60N65X2-4-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventario:
33 Pz Nuovo Originale Disponibile
12821372
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IXFH60N65X2-4 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4L
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
IXFH60
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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