Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH26N50Q
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH26N50Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
RFQ Online
12820120
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IXFH26N50Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH26
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IXF(H,T)2(4,6)N50Q
Scheda Dati HTML
IXFH26N50Q-DG
Schede dati
IXFH26N50Q
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
476048
IXFH26N50Q-NDR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFP32N50KPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
11
NUMERO DI PEZZO
IRFP32N50KPBF-DG
PREZZO UNITARIO
4.38
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFP360LCPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1143
NUMERO DI PEZZO
IRFP360LCPBF-DG
PREZZO UNITARIO
2.56
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STW28NM50N
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
144
NUMERO DI PEZZO
STW28NM50N-DG
PREZZO UNITARIO
3.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SIHG25N50E-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SIHG25N50E-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
1.58
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IRFP360PBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
2246
NUMERO DI PEZZO
IRFP360PBF-DG
PREZZO UNITARIO
2.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IXFR44N80P
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXTV22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
IXFC74N20P
MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
IXTN79N20
MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B